晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310446378.X

申请日：

2013-09-26

公开(公告)号：

CN104009082B

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

朴南均

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2724 H01L4500 G11C1300

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;毋二省

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	授权	授权
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638507000 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201310446378X 申请日:20130926
2014-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

包括垂直沟道PMOS晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104425713A ,2015-03-18

[2]

晶体管和包括晶体管的半导体存储器件 [P].

李世薰 ;

林濬熙 ;

吴浚硕 ;

张盛弼 .

韩国专利 :CN119604023A ,2025-03-11

[3]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN103872067B ,2014-06-18

[4]

薄膜晶体管存储器件 [P].

P·梅 ;

小J·R·伊顿 .

中国专利 :CN1407615A ,2003-04-02

[5]

具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104882480A ,2015-09-02

[6]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[7]

用于制造晶体管器件的方法及晶体管器件 [P].

M·罗赫尔 ;

C·法赫曼 ;

F·赫勒 ;

W·凯因德尔 .

:CN119767706A ,2025-04-04

[8]

可变电阻存储器件和制造可变电阻存储器件的方法 [P].

朴正熙 ;

朴志镐 ;

朴昌叶 ;

安东浩 .

中国专利 :CN110875428A ,2020-03-10

[9]

晶体管器件及其制造方法 [P].

C·黄 ;

J·A·欣茨曼 ;

D·J·施勒曼 ;

H·廖 .

中国专利 :CN101297407A ,2008-10-29

[10]

晶体管器件及其制造方法 [P].

L·A·克莱文杰 ;

L·L·休 ;

C·J·拉登斯 ;

J·F·小谢泼德 .

中国专利 :CN1292488C ,2004-07-07

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