包括垂直沟道PMOS晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410006953.9

申请日：

2014-01-07

公开(公告)号：

CN104425713A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

朴南均

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

俞波;毋二省

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	授权	授权
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677903975 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2014100069539 申请日:20140107
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104009082B ,2014-08-27

[2]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN103872067B ,2014-06-18

[3]

具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104882480A ,2015-09-02

[4]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

李宰渊 ;

宋锡杓 ;

李承桓 .

中国专利 :CN103325806A ,2013-09-25

[5]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

郑夏彰 ;

李恩侠 .

中国专利 :CN104241525A ,2014-12-24

[6]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金玟锡 ;

尹孝燮 .

中国专利 :CN104241524A ,2014-12-24

[7]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

宋锡杓 ;

郑星雄 ;

郑璲钰 ;

金东准 .

中国专利 :CN103187526A ,2013-07-03

[8]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[9]

具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件及其制造方法 [P].

金大益 ;

洪亨善 ;

黄有商 ;

郑铉雨 .

中国专利 :CN102446919B ,2012-05-09

[10]

垂直可变电阻存储器件 [P].

早川幸夫 ;

姜周宪 ;

禹明勋 ;

尹健郁 ;

黄斗熙 .

中国专利 :CN113299826A ,2021-08-24

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