垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110410898.6

申请日：

2011-12-12

公开(公告)号：

CN102403233A

公开(公告)日：

2012-04-04

发明(设计)人：

王鹏飞林曦刘伟孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20111212 授权公告日:20140611 终止日期:20181212
2012-04-04	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346520288 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011104108986 申请日:20111212
2014-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法 [P].

赵静 ;

杨喜超 ;

吴昊 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN107431088B ,2017-12-01

[2]

制造隧穿晶体管的方法和包括隧穿晶体管的IC [P].

吉尔贝托·库拉托拉 ;

马库斯·J·H·范达纶 .

中国专利 :CN102239562A ,2011-11-09

[3]

隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法 [P].

吴昊 ;

张臣雄 ;

杨喜超 ;

赵静 .

中国专利 :CN107431089A ,2017-12-01

[4]

垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法 [P].

臧松干 ;

王鹏飞 ;

张卫 .

中国专利 :CN101819975A ,2010-09-01

[5]

制造垂直沟道晶体管的方法 [P].

金冈昱 ;

吴容哲 ;

金熙中 ;

郑铉雨 ;

金铉琦 .

中国专利 :CN102104005B ,2011-06-22

[6]

隧穿晶体管结构及其制造方法 [P].

赵静 ;

杨喜超 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN104201198B ,2014-12-10

[7]

具突变结的隧穿晶体管的制造方法 [P].

R·A·维加 ;

E·阿尔普泰金 ;

H·H·特兰 ;

袁晓彬 .

中国专利 :CN104272444B ,2015-01-07

[8]

具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104882480A ,2015-09-02

[9]

垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构 [P].

郭新龙 ;

刘桃 ;

钱乐雯 ;

黄自强 ;

廖美成 ;

徐敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN120812974A ,2025-10-17

[10]

垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构 [P].

郭新龙 ;

刘桃 ;

黄自强 ;

钱乐雯 ;

廖美成 ;

徐敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN120302663A ,2025-07-11

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