制造垂直沟道晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010593037.1

申请日：

2010-12-16

公开(公告)号：

CN102104005B

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

金冈昱吴容哲金熙中郑铉雨金铉琦

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101362317614 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010105930371 申请日:20101216
2015-05-06	授权	授权
2011-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构 [P].

郭新龙 ;

刘桃 ;

钱乐雯 ;

黄自强 ;

廖美成 ;

徐敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN120812974A ,2025-10-17

[2]

垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构 [P].

郭新龙 ;

刘桃 ;

黄自强 ;

钱乐雯 ;

廖美成 ;

徐敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN120302663A ,2025-07-11

[3]

垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378127B ,2013-10-30

[4]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[5]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[6]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[7]

双垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378147B ,2013-10-30

[8]

晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法 [P].

A·蒂斯 ;

K·米姆勒 .

中国专利 :CN1819205A ,2006-08-16

[9]

垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法 [P].

王鹏飞 ;

林曦 ;

刘伟 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN102403233A ,2012-04-04

[10]

具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101471304B ,2009-07-01

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