垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510454554.7

申请日：

2025-04-11

公开(公告)号：

CN120302663A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

郭新龙刘桃黄自强钱乐雯廖美成徐敏张卫

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/62 H10D64/27

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

张菁

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250411

共 50 条

[1]

垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构 [P].

郭新龙 ;

刘桃 ;

钱乐雯 ;

黄自强 ;

廖美成 ;

徐敏 ;

张卫 .

中国专利 :CN120812974A ,2025-10-17

[2]

垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378127B ,2013-10-30

[3]

双垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378147B ,2013-10-30

[4]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[5]

制造垂直沟道晶体管的方法 [P].

金冈昱 ;

吴容哲 ;

金熙中 ;

郑铉雨 ;

金铉琦 .

中国专利 :CN102104005B ,2011-06-22

[6]

晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法 [P].

A·蒂斯 ;

K·米姆勒 .

中国专利 :CN1819205A ,2006-08-16

[7]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[8]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[9]

多沟道晶体管 [P].

格雷戈里·布宁 ;

塔玛拉·巴克什特 .

中国专利 :CN105247680A ,2016-01-13

[10]

一种垂直沟道晶体管结构及制造方法 [P].

黄凯亮 ;

景蔚亮 ;

王昭桂 ;

冯君校 ;

王正波 .

中国专利 :CN116799057B ,2025-12-16

← 1 2 3 4 5 →