垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010162453.6

申请日：

2010-04-28

公开(公告)号：

CN101819975A

公开(公告)日：

2010-09-01

发明(设计)人：

臧松干王鹏飞张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L218238 H01L21336

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20100428 授权公告日:20111207 终止日期:20170428
2011-12-07	授权	授权
2011-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101064488209 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2010101624536 申请日:20100428
2010-09-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法 [P].

孙雷 ;

徐浩 ;

张一博 ;

韩静文 ;

王漪 ;

张盛东 .

中国专利 :CN104157687B ,2014-11-19

[2]

隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法 [P].

吴昊 ;

张臣雄 ;

杨喜超 ;

赵静 .

中国专利 :CN107431089A ,2017-12-01

[3]

垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法 [P].

王鹏飞 ;

林曦 ;

刘伟 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN102403233A ,2012-04-04

[4]

垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法 [P].

王超 ;

黄如 ;

吴春蕾 ;

黄芊芊 ;

赵阳 .

中国专利 :CN103996713B ,2014-08-20

[5]

隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法 [P].

赵静 ;

杨喜超 ;

吴昊 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN107431088B ,2017-12-01

[6]

分立双矩形栅控U形沟道源漏双隧穿晶体管及其制造方法 [P].

靳晓诗 ;

高云翔 ;

刘溪 .

中国专利 :CN107731913A ,2018-02-23

[7]

双垂直沟道晶体管及其制造方法 [P].

任兴华 .

中国专利 :CN102194872A ,2011-09-21

[8]

一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法 [P].

张卫 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN109742159A ,2019-05-10

[9]

双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法 [P].

靳晓诗 ;

高云翔 ;

刘溪 .

中国专利 :CN107808904A ,2018-03-16

[10]

体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法 [P].

靳晓诗 ;

刘溪 .

中国专利 :CN104465737B ,2015-03-25

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