垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410162765.5
申请日
2014-04-22
公开(公告)号
CN103996713B
公开(公告)日
2014-08-20
发明(设计)人
王超 黄如 吴春蕾 黄芊芊 赵阳
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336 H01L21265
代理机构
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360
代理人
朱红涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米线隧穿晶体管 [P]. 
弗雷德·胡尔克斯 ;
普拉巴特·阿加瓦尔 .
中国专利 :CN101375398B ,2009-02-25
[2]
垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法 [P]. 
臧松干 ;
王鹏飞 ;
张卫 .
中国专利 :CN101819975A ,2010-09-01
[3]
隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法 [P]. 
吴昊 ;
张臣雄 ;
杨喜超 ;
赵静 .
中国专利 :CN107431089A ,2017-12-01
[4]
一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法 [P]. 
赵晓松 ;
韩伟华 ;
郭仰岩 ;
窦亚梅 ;
张晓迪 ;
吴歆宇 ;
杨富华 .
中国专利 :CN110491940A ,2019-11-22
[5]
隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法 [P]. 
赵静 ;
杨喜超 ;
吴昊 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN107431088B ,2017-12-01
[6]
垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法 [P]. 
王鹏飞 ;
林曦 ;
刘伟 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN102403233A ,2012-04-04
[7]
垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
朱正勇 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN108133960A ,2018-06-08
[8]
垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法 [P]. 
黄如 ;
吴春蕾 ;
黄芊芊 ;
王超 ;
王佳鑫 ;
王阳元 .
中国专利 :CN103151391B ,2013-06-12
[9]
纳米线晶体管及其制备方法 [P]. 
唐粕人 .
中国专利 :CN109755290B ,2019-05-14
[10]
纳米线晶体管及其制备方法 [P]. 
唐粕人 .
中国专利 :CN109755312A ,2019-05-14