垂直堆叠的环栅纳米线隧穿场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711135738.9

申请日：

2017-11-15

公开(公告)号：

CN108133960A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

朱正勇朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331 H01L2910 B82Y3000

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

韩建伟;谢湘宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20171115
2018-06-08	公开	公开
2020-06-23	授权	授权

共 50 条

[1]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288642A ,2018-07-17

[2]

隧穿场效应晶体管及隧穿场效应晶体管的制备方法 [P].

杨喜超 ;

赵静 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN104134695A ,2014-11-05

[3]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

殷华湘 ;

张兆浩 ;

李俊杰 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108565218A ,2018-09-21

[4]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

顾世海 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288647A ,2018-07-17

[5]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

殷华湘 ;

张兆浩 ;

李俊杰 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108231584A ,2018-06-29

[6]

垂直隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

赵静 ;

杨喜超 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN104659099B ,2015-05-27

[7]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

徐慧龙 ;

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN110603646B ,2019-12-20

[8]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

杨喜超 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN107924941A ,2018-04-17

[9]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

赵静 ;

杨喜超 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN104617138A ,2015-05-13

[10]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

杨喜超 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108352401A ,2018-07-31

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