环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711346506.8

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN108288647A

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

张青竹张兆浩殷华湘顾世海徐忍忍

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

韩建伟;谢湘宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	公开	公开
2021-07-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20210628 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中国科学院微电子研究所变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:100021 北京市朝阳区北土城西路3号变更事项:申请人变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
2018-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171214
2022-02-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180717

共 50 条

[1]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

殷华湘 ;

张兆浩 ;

李俊杰 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108565218A ,2018-09-21

[2]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

殷华湘 ;

张兆浩 ;

李俊杰 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108231584A ,2018-06-29

[3]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288642A ,2018-07-17

[4]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

徐忍忍 ;

殷华湘 ;

张兆浩 .

中国专利 :CN108258048A ,2018-07-06

[5]

鳍型场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288646A ,2018-07-17

[6]

全环栅纳米线场效应晶体管 [P].

J·斯莱特 ;

S·邦萨伦蒂普 ;

G·科亨 ;

J·常 .

中国专利 :CN102640271A ,2012-08-15

[7]

垂直环栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

田禾 ;

赵禹涵 ;

沈阳 .

中国专利 :CN118472037A ,2024-08-09

[8]

悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103377927B ,2013-10-30

[9]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

李枭 ;

谢志平 ;

刘长灵 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN111627820B ,2020-09-04

[10]

沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19

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