环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711343603.1

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN108565218A

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

张青竹殷华湘张兆浩李俊杰徐忍忍

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

韩建伟;谢湘宁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20180921
2018-09-21	公开	公开
2018-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20171214

共 50 条

[1]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

顾世海 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288647A ,2018-07-17

[2]

环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

殷华湘 ;

张兆浩 ;

李俊杰 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108231584A ,2018-06-29

[3]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

张兆浩 ;

殷华湘 ;

徐忍忍 .

中国专利 :CN108288642A ,2018-07-17

[4]

全环栅纳米线场效应晶体管 [P].

J·斯莱特 ;

S·邦萨伦蒂普 ;

G·科亨 ;

J·常 .

中国专利 :CN102640271A ,2012-08-15

[5]

垂直环栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

田禾 ;

赵禹涵 ;

沈阳 .

中国专利 :CN118472037A ,2024-08-09

[6]

隧穿场效应晶体管及其制备方法 [P].

张青竹 ;

徐忍忍 ;

殷华湘 ;

张兆浩 .

中国专利 :CN108258048A ,2018-07-06

[7]

悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103377927B ,2013-10-30

[8]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

李枭 ;

谢志平 ;

刘长灵 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN111627820B ,2020-09-04

[9]

沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19

[10]

纳米线场效应晶体管及其形成方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN103258741A ,2013-08-21

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