一种苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110326548.1

申请日：

2011-10-24

公开(公告)号：

CN102408547B

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

霍利军侯剑辉

申请人：

申请人地址：

100080 北京市海淀区中关村北一街2号

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

C08L6500 H01L5146 H01L5130

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250912039 IPC(主分类):C08G 61/12 专利申请号:2011103265481 申请日:20111024
2013-05-22	授权	授权
2012-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 [P].

霍利军 ;

侯剑辉 .

中国专利 :CN102585175A ,2012-07-18

[2]

二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 [P].

霍利军 ;

侯剑辉 .

中国专利 :CN103193962A ,2013-07-10

[3]

光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用 [P].

霍利军 ;

侯剑辉 ;

武岳 .

中国专利 :CN102585177A ,2012-07-18

[4]

三并噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 [P].

霍利军 ;

孙艳明 .

中国专利 :CN104592499A ,2015-05-06

[5]

一种萘并二呋喃共轭聚合物及其制备方法与应用 [P].

霍利军 ;

郑冰 ;

江雷 .

中国专利 :CN112961326A ,2021-06-15

[6]

二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用 [P].

肖生强 ;

蒋尊龙 ;

詹春 ;

芦露华 .

中国专利 :CN103408733A ,2013-11-27

[7]

苯并二呋喃基聚合物材料及其光伏应用 [P].

邹应萍 ;

刘波 ;

陈学文 ;

唐万军 ;

肖璐 .

中国专利 :CN102827355A ,2012-12-19

[8]

含噻吩并噻吩-二苯并噻吩苯并二噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用 [P].

周明杰 ;

管榕 ;

李满园 ;

黄佳乐 ;

黎乃元 .

中国专利 :CN103936969A ,2014-07-23

[9]

一种手性共轭聚合物及其制备方法与应用 [P].

刘子桐 ;

任鹏 .

中国专利 :CN120463918A ,2025-08-12

[10]

一类侧链含氢键基团的共轭聚合物材料及其制备方法与应用 [P].

刘子桐 ;

姚晶晶 ;

虞辰敏 ;

张关心 ;

张德清 .

中国专利 :CN104725612A ,2015-06-24

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