二比特分栅SONOS闪存存储器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810471397.0

申请日：

2018-05-17

公开(公告)号：

CN108807396A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

许昭昭

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711568 H01L2711531 H01L2711573 H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

栾美洁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	公开	公开
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20180517
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请公布日:20181113

共 50 条

[1]

分栅SONOS闪存存储器的制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN108666317B ,2018-10-16

[2]

二比特SONOS闪存存储器及其制造方法 [P].

张可钢 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103855163A ,2014-06-11

[3]

SONOS闪存存储器的制造方法 [P].

李伟峰 ;

王雷 ;

张可钢 .

中国专利 :CN106298789A ,2017-01-04

[4]

堆叠栅型SONOS闪存存储器及其制造方法 [P].

张可钢 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103855162A ,2014-06-11

[5]

二比特分栅SONOS器件制造工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109166855A ,2019-01-08

[6]

分栅SONOS的制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109148464A ,2019-01-04

[7]

SONOS闪存存储器的结构及制造方法 [P].

张可钢 .

中国专利 :CN104538363B ,2015-04-22

[8]

分栅快闪存储器的制造方法 [P].

张高明 .

中国专利 :CN118251002A ,2024-06-25

[9]

一种SONOS闪存存储器及其制造方法 [P].

张可钢 ;

陈广龙 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103855161A ,2014-06-11

[10]

分栅快闪存储器的制造方法 [P].

曹启鹏 ;

王卉 ;

陈宏 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN109950247A ,2019-06-28

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