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二比特分栅SONOS器件制造工艺方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810984598.0
申请日：
2018-08-28
公开(公告)号：
CN109166855A
公开(公告)日：
2019-01-08
发明(设计)人：
许昭昭
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L271157
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-02-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20180828
2020-08-11 授权 授权
2019-01-08 公开 公开
共 50 条
[1]
二比特分栅SONOS闪存存储器的制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN108807396A ,2018-11-13
[2]
分栅SONOS的制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109148464A ,2019-01-04
[3]
SONOS器件的制造方法 [P]. 
单园园 ;
郭振强 ;
陈瑜 ;
胡君 .
中国专利 :CN109950249A ,2019-06-28
[4]
分栅SONOS闪存存储器的制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN108666317B ,2018-10-16
[5]
SONOS器件以及SONOS器件制造方法 [P]. 
丁航晨 ;
张强 ;
黄冠群 .
中国专利 :CN106449766A ,2017-02-22
[6]
二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
张引桐 ;
刘冬华 .
中国专利 :CN121126781A ,2025-12-12
[7]
二比特SONOS闪存存储器及其制造方法 [P]. 
张可钢 ;
陈广龙 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN103855163A ,2014-06-11
[8]
SONOS器件的工艺方法 [P]. 
熊伟 ;
张可钢 ;
陈华伦 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104332443A ,2015-02-04
[9]
SONOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
胡君 ;
刘冬华 ;
钱文生 ;
石晶 ;
段文婷 .
中国专利 :CN106206748A ,2016-12-07
[10]
浮栅型分栅闪存器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN114038854B ,2025-10-03
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