半导体压力传感器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200480002413.8
申请日
2004-01-29
公开(公告)号
CN1739014B
公开(公告)日
2006-02-22
发明(设计)人
佐藤正和 伊东达也 野口秀人
申请人
申请人地址
日本国东京都
IPC主分类号
G01L900
IPC分类号
H01L2984
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐谦
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
渡边哲也 ;
工藤贵裕 ;
池田恭一 .
中国专利 :CN1149931A ,1997-05-14
[2]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN102121856B ,2011-07-13
[3]
半导体压力传感器 [P]. 
杨健生 .
中国专利 :CN100449815C ,2005-01-26
[4]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN103872050B ,2014-06-18
[5]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN104124244B ,2014-10-29
[6]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
出尾晋一 ;
田口元久 ;
山下彰 ;
吉田幸久 .
中国专利 :CN101273255B ,2008-09-24
[7]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN113899488A ,2022-01-07
[8]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
吉川英治 .
中国专利 :CN113677968A ,2021-11-19
[9]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
八幡直树 .
中国专利 :CN102706490A ,2012-10-03
[10]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN102564658B ,2012-07-11