半导体压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03147271.0

申请日：

2003-07-11

公开(公告)号：

CN100449815C

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

杨健生

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L4900

IPC分类号：

H01L4100 H01L2700 B81B700 G01L900

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-07	授权	授权
2005-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-01-26	公开	公开
2018-05-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 49/00 登记生效日:20180427 变更事项:专利权人变更前权利人:友达光电股份有限公司变更后权利人:华星光电国际（香港）有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹市变更后权利人:中国香港新界荃湾大涌道8号TCL工业中心13楼

共 50 条

[1]

电容式半导体压力传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN1571182A ,2005-01-26

[2]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[3]

半导体压力传感器 [P].

鲁相洙 ;

李应颜 ;

柳成昊 ;

金廷柱 ;

金景勋 .

中国专利 :CN110352505A ,2019-10-18

[4]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[5]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[6]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300744345D ,2008-02-13

[7]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

[8]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300735491D ,2008-01-23

[9]

半导体压力传感器 [P].

若杉信嘉 ;

德原实 ;

堀场启二 .

中国专利 :CN1536343A ,2004-10-13

[10]

半导体压力传感器 [P].

高山直树 ;

富田道和 ;

须藤勇气 ;

奥出聪 .

中国专利 :CN105579819A ,2016-05-11

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