半导体压力传感器

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200730009118.1

申请日：

2007-03-29

公开(公告)号：

CN300744345D

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

黑泽美津男

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1005

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

张敬强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101716389046 主分类号:10-05 专利号:ZL2007300091181 申请日:20070329 授权公告日:20080213 终止日期:无
2008-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[2]

半导体压力传感器 [P].

鲁相洙 ;

李应颜 ;

柳成昊 ;

金廷柱 ;

金景勋 .

中国专利 :CN110352505A ,2019-10-18

[3]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[4]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[5]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

[6]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300735491D ,2008-01-23

[7]

半导体压力传感器 [P].

若杉信嘉 ;

德原实 ;

堀场启二 .

中国专利 :CN1536343A ,2004-10-13

[8]

半导体压力传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN100449815C ,2005-01-26

[9]

半导体压力传感器 [P].

高山直树 ;

富田道和 ;

须藤勇气 ;

奥出聪 .

中国专利 :CN105579819A ,2016-05-11

[10]

半导体压力传感器 [P].

A·J·范德维尔 .

中国专利 :CN105829849A ,2016-08-03

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