半导体压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880003340.6

申请日：

2018-05-17

公开(公告)号：

CN110352505A

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

鲁相洙李应颜柳成昊金廷柱金景勋

申请人：

申请人地址：

韩国釜山广域市

IPC主分类号：

H01L41113

IPC分类号：

G01L122 H01L41047

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金鲜英;张敬强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	公开	公开
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/113 申请日:20180517

共 50 条

[1]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[2]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[3]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[4]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300744345D ,2008-02-13

[5]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

[6]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300735491D ,2008-01-23

[7]

半导体压力传感器 [P].

若杉信嘉 ;

德原实 ;

堀场启二 .

中国专利 :CN1536343A ,2004-10-13

[8]

半导体压力传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN100449815C ,2005-01-26

[9]

半导体压力传感器 [P].

高山直树 ;

富田道和 ;

须藤勇气 ;

奥出聪 .

中国专利 :CN105579819A ,2016-05-11

[10]

半导体压力传感器 [P].

A·J·范德维尔 .

中国专利 :CN105829849A ,2016-08-03

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