半导体压力传感器

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专利类型
外观设计
申请号
CN200730009118.1
申请日
2007-03-29
公开(公告)号
CN300744345D
公开(公告)日
2008-02-13
发明(设计)人
黑泽美津男
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
1005
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人
张敬强
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
出尾晋一 ;
田口元久 ;
山下彰 ;
吉田幸久 .
中国专利 :CN101273255B ,2008-09-24
[22]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN113899488A ,2022-01-07
[23]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
吉川英治 .
中国专利 :CN113677968A ,2021-11-19
[24]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
八幡直树 .
中国专利 :CN102706490A ,2012-10-03
[25]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN102564658B ,2012-07-11
[26]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN101846563A ,2010-09-29
[27]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN101819077B ,2010-09-01
[28]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
渡边哲也 ;
工藤贵裕 ;
池田恭一 .
中国专利 :CN1149931A ,1997-05-14
[29]
具有隔膜的半导体压力传感器 [P]. 
胜间田卓 ;
丰田稻男 ;
田中宏明 .
中国专利 :CN1527039A ,2004-09-08
[30]
半导体压力传感器及其制造方法 [P]. 
佐藤公敏 .
中国专利 :CN113465809A ,2021-10-01