电容式半导体压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03147270.2

申请日：

2003-07-11

公开(公告)号：

CN1571182A

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

杨健生

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L4900

IPC分类号：

H01L2700 B81B700 G01L912

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-01-26	公开	公开
2008-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体压力传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN100449815C ,2005-01-26

[2]

电容式加速传感器 [P].

杨健生 .

中国专利 :CN100371718C ,2005-01-19

[3]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[4]

电容式压力传感器 [P].

张睿 .

中国专利 :CN205120280U ,2016-03-30

[5]

电容式压力传感器 [P].

刘旭强 ;

林立男 ;

陶硕 ;

王迪 .

中国专利 :CN118464275A ,2024-08-09

[6]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[7]

半导体压力传感器 [P].

鲁相洙 ;

李应颜 ;

柳成昊 ;

金廷柱 ;

金景勋 .

中国专利 :CN110352505A ,2019-10-18

[8]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[9]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300744345D ,2008-02-13

[10]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

← 1 2 3 4 5 →