微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110228409.5

申请日：

2011-08-10

公开(公告)号：

CN102386072B

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

小松立神保安弘宫入秀和

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

周善来;李雪春

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20110810 授权公告日:20160504 终止日期:20200810
2012-03-21	公开	公开
2016-05-04	授权	授权
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101501121916 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011102284095 申请日:20110810

共 50 条

[1]

微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

手塚祐朗 ;

神保安弘 ;

佐佐木俊成 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN102243992B ,2011-11-16

[2]

微晶硅膜的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

小松立 ;

神保安弘 ;

宫入秀和 ;

山元良高 .

中国专利 :CN102456552A ,2012-05-16

[3]

半导体装置的制造方法、半导体晶圆及半导体装置 [P].

木村龙太 .

日本专利 :CN119439634A ,2025-02-14

[4]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

吉水康人 ;

久下宣仁 ;

嘉义唯 ;

小幡进 ;

松尾圭一郎 ;

佐野光雄 .

日本专利 :CN113544815B ,2024-07-26

[5]

半导体装置的制造方法及半导体晶圆 [P].

渡边慎也 ;

平圭介 .

中国专利 :CN109509703A ,2019-03-22

[6]

半导体晶圆及制造半导体装置的方法 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN101908522B ,2010-12-08

[7]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

富田和朗 .

中国专利 :CN101359646A ,2009-02-04

[8]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

吉水康人 ;

久下宣仁 ;

嘉义唯 ;

小幡进 ;

松尾圭一郎 ;

佐野光雄 .

中国专利 :CN113544815A ,2021-10-22

[9]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中田壮哉 ;

高桥恒太 ;

三鬼悠辅 ;

土井拓马 ;

松尾和展 ;

侧濑聪文 ;

虎谷健一郎 .

日本专利 :CN119677101A ,2025-03-21

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

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