一种具有集电极槽的超结逆导型IGBT

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710655417.5

申请日：

2017-08-03

公开(公告)号：

CN107464842A

公开(公告)日：

2017-12-12

发明(设计)人：

罗小蓉魏杰黄琳华邓高强孙涛赵哲言刘庆

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331 H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20170803
2017-12-12	公开	公开
2020-07-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20171212

共 50 条

[1]

一种具有超结的逆导型IGBT [P].

郑崇芝 ;

夏云 ;

谯彬 ;

李青岭 ;

孙瑞泽 ;

刘超 ;

施宜军 ;

信亚杰 ;

王方洲 ;

陈万军 .

中国专利 :CN110444584A ,2019-11-12

[2]

一种具有异质结的超结逆导型IGBT [P].

陈万军 ;

吴毅 ;

夏云 ;

孙瑞泽 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN114256331A ,2022-03-29

[3]

逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 [P].

张文亮 ;

胡爱斌 ;

朱阳军 ;

陆江 .

中国专利 :CN103855204B ,2014-06-11

[4]

一种新型超结逆导IGBT结构 [P].

徐承福 ;

白玉明 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206412364U ,2017-08-15

[5]

一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT [P].

罗小蓉 ;

魏杰 ;

黄琳华 ;

邓高强 ;

赵哲言 ;

刘庆 ;

曹厚华 ;

孙燕 ;

莫日华 ;

曾莉尧 .

中国专利 :CN107342321A ,2017-11-10

[6]

一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT [P].

罗小蓉 ;

魏杰 ;

黄琳华 ;

邓高强 ;

赵哲言 ;

刘庆 ;

曹厚华 ;

孙燕 ;

莫日华 ;

曾莉尧 .

中国专利 :CN207233738U ,2018-04-13

[7]

一种氧化槽隔离型逆导型IGBT的新结构 [P].

陈译 ;

陈利 .

中国专利 :CN208352296U ,2019-01-08

[8]

逆导型超结IGBT器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN109888005B ,2019-06-14

[9]

具有受控阳极注入的逆导型IGBT [P].

路德-金·恩格文森 ;

伊恩·德文尼 .

中国专利 :CN114600252A ,2022-06-07

[10]

一种逆导型IGBT器件 [P].

任敏 ;

李吕强 ;

蓝瑶瑶 ;

郭乔 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN111697070A ,2020-09-22

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