逆导型超结IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910056493.3

申请日：

2019-01-22

公开(公告)号：

CN109888005B

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	授权	授权
2019-06-14	公开	公开
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190122

共 50 条

[1]

逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10

[2]

沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法 [P].

高宗朋 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN118213386A ,2024-06-18

[3]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

管佳宁 ;

梁利晓 ;

覃荣震 ;

肖强 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN120224753A ,2025-06-27

[4]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

高宗朋 .

中国专利 :CN117476755A ,2024-01-30

[5]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

潘嘉 ;

李昊 ;

陆怡 .

中国专利 :CN109887990A ,2019-06-14

[6]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

邢军军 ;

潘嘉 ;

李昊 ;

陆怡 .

中国专利 :CN109830532A ,2019-05-31

[7]

逆导型IGBT器件的制造方法 [P].

孔蔚然 ;

杨继业 ;

潘嘉 .

中国专利 :CN111540679A ,2020-08-14

[8]

超结器件及其制造方法 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN107768442A ,2018-03-06

[9]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18

[10]

超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109979984A ,2019-07-05

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