沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211617274.6

申请日：

2022-12-15

公开(公告)号：

CN118213386A

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

高宗朋曾大杰

申请人：

上海鼎阳通半导体科技有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号609室

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/739 H01L21/331 H01L29/423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	公开	公开
2024-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20221215

共 50 条

[1]

超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN114068678A ,2022-02-18

[2]

沟槽栅型IGBT器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

韩健 ;

王珏 .

中国专利 :CN104882477B ,2015-09-02

[3]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

管佳宁 ;

梁利晓 ;

覃荣震 ;

肖强 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN120224753A ,2025-06-27

[4]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

高宗朋 .

中国专利 :CN117476755A ,2024-01-30

[5]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

潘嘉 ;

李昊 ;

陆怡 .

中国专利 :CN109887990A ,2019-06-14

[6]

超结IGBT器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

邢军军 ;

潘嘉 ;

李昊 ;

陆怡 .

中国专利 :CN109830532A ,2019-05-31

[7]

IGBT的沟槽栅结构、IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

卢烁今 ;

许洁 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117995667A ,2024-05-07

[8]

逆导型超结IGBT器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN109888005B ,2019-06-14

[9]

一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

田丰境 ;

底聪 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105789290B ,2016-07-20

[10]

沟槽栅超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张旋 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118039670A ,2024-05-14

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