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超结IGBT器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311774773.0
申请日：
2023-12-21
公开(公告)号：
CN120224753A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
管佳宁 梁利晓 覃荣震 肖强 罗海辉
申请人：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址：
412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D12/00 H10D12/01
代理机构：
北京风雅颂专利代理有限公司 11403
代理人：
曾志鹏
法律状态：
公开
国省代码：
湖南省 株洲市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-27 公开 公开
2025-07-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20231221
共 50 条
[1]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
曾大杰 ;
高宗朋 .
中国专利 :CN117476755A ,2024-01-30
[2]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张须坤 ;
杨继业 ;
邢军军 ;
潘嘉 ;
李昊 ;
陆怡 .
中国专利 :CN109887990A ,2019-06-14
[3]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张须坤 ;
邢军军 ;
潘嘉 ;
李昊 ;
陆怡 .
中国专利 :CN109830532A ,2019-05-31
[4]
一种超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张军亮 ;
汤雨欣 ;
杜琬婷 ;
杨晶 ;
徐西昌 .
中国专利 :CN117832085A ,2024-04-05
[5]
超结RC-IGBT器件结构 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN114664920A ,2022-06-24
[6]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 ;
王鹏飞 ;
刘磊 ;
龚轶 .
中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28
[7]
沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
高宗朋 ;
曾大杰 .
中国专利 :CN118213386A ,2024-06-18
[8]
超结IGBT器件及其制备方法 [P]. 
王思亮 ;
李睿 ;
马克强 ;
胡敏 .
中国专利 :CN120343935B ,2025-09-05
[9]
超结IGBT器件及其制备方法 [P]. 
王思亮 ;
李睿 ;
马克强 ;
胡敏 .
中国专利 :CN120343935A ,2025-07-18
[10]
逆导型超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN109888005B ,2019-06-14
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