超结IGBT器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510820431.0
申请日
2025-06-19
公开(公告)号
CN120343935A
公开(公告)日
2025-07-18
发明(设计)人
王思亮 李睿 马克强 胡敏
申请人
成都森未科技有限公司
申请人地址
610000 四川省成都市郫都区西源大道2808号2栋2层
IPC主分类号
H10D12/00
IPC分类号
H10D12/01 H10D62/10
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
杨勋
法律状态
授权
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
超结IGBT器件及其制备方法 [P]. 
王思亮 ;
李睿 ;
马克强 ;
胡敏 .
中国专利 :CN120343935B ,2025-09-05
[2]
分离栅超结IGBT器件及其制备方法 [P]. 
张嘉鑫 ;
胡玮 ;
唐宇 .
中国专利 :CN119922958A ,2025-05-02
[3]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
管佳宁 ;
梁利晓 ;
覃荣震 ;
肖强 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN120224753A ,2025-06-27
[4]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
曾大杰 ;
高宗朋 .
中国专利 :CN117476755A ,2024-01-30
[5]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张须坤 ;
杨继业 ;
邢军军 ;
潘嘉 ;
李昊 ;
陆怡 .
中国专利 :CN109887990A ,2019-06-14
[6]
超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
张须坤 ;
邢军军 ;
潘嘉 ;
李昊 ;
陆怡 .
中国专利 :CN109830532A ,2019-05-31
[7]
超结IGBT器件 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN117577671A ,2024-02-20
[8]
超结IGBT器件 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN117577671B ,2025-09-23
[9]
沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
高宗朋 ;
曾大杰 .
中国专利 :CN118213386A ,2024-06-18
[10]
具有反向阻断能力的超结IGBT器件及其制造方法 [P]. 
吴玉舟 .
中国专利 :CN118486712A ,2024-08-13