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超结IGBT器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510820431.0
申请日
:
2025-06-19
公开(公告)号
:
CN120343935A
公开(公告)日
:
2025-07-18
发明(设计)人
:
王思亮
李睿
马克强
胡敏
申请人
:
成都森未科技有限公司
申请人地址
:
610000 四川省成都市郫都区西源大道2808号2栋2层
IPC主分类号
:
H10D12/00
IPC分类号
:
H10D12/01
H10D62/10
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
杨勋
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-05
授权
授权
2025-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/00申请日:20250619
2025-07-18
公开
公开
共 50 条
[1]
超结IGBT器件及其制备方法
[P].
王思亮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
成都森未科技有限公司
成都森未科技有限公司
王思亮
;
李睿
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0
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0
机构:
成都森未科技有限公司
成都森未科技有限公司
李睿
;
马克强
论文数:
0
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0
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机构:
成都森未科技有限公司
成都森未科技有限公司
马克强
;
胡敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
成都森未科技有限公司
成都森未科技有限公司
胡敏
.
中国专利
:CN120343935B
,2025-09-05
[2]
分离栅超结IGBT器件及其制备方法
[P].
张嘉鑫
论文数:
0
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0
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0
机构:
重庆万国半导体科技有限公司
重庆万国半导体科技有限公司
张嘉鑫
;
胡玮
论文数:
0
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0
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0
机构:
重庆万国半导体科技有限公司
重庆万国半导体科技有限公司
胡玮
;
唐宇
论文数:
0
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0
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0
机构:
重庆万国半导体科技有限公司
重庆万国半导体科技有限公司
唐宇
.
中国专利
:CN119922958A
,2025-05-02
[3]
超结IGBT器件及其制造方法
[P].
管佳宁
论文数:
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0
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
管佳宁
;
梁利晓
论文数:
0
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
梁利晓
;
覃荣震
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0
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
覃荣震
;
肖强
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0
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机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
肖强
;
罗海辉
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0
机构:
株洲中车时代半导体有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
罗海辉
.
中国专利
:CN120224753A
,2025-06-27
[4]
超结IGBT器件及其制造方法
[P].
肖胜安
论文数:
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机构:
上海鼎阳通半导体科技有限公司
上海鼎阳通半导体科技有限公司
肖胜安
;
曾大杰
论文数:
0
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机构:
上海鼎阳通半导体科技有限公司
上海鼎阳通半导体科技有限公司
曾大杰
;
高宗朋
论文数:
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0
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0
机构:
上海鼎阳通半导体科技有限公司
上海鼎阳通半导体科技有限公司
高宗朋
.
中国专利
:CN117476755A
,2024-01-30
[5]
超结IGBT器件及其制造方法
[P].
张须坤
论文数:
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0
张须坤
;
杨继业
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杨继业
;
邢军军
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邢军军
;
潘嘉
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潘嘉
;
李昊
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李昊
;
陆怡
论文数:
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0
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0
陆怡
.
中国专利
:CN109887990A
,2019-06-14
[6]
超结IGBT器件及其制造方法
[P].
张须坤
论文数:
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0
张须坤
;
邢军军
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邢军军
;
潘嘉
论文数:
0
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潘嘉
;
李昊
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李昊
;
陆怡
论文数:
0
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0
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0
陆怡
.
中国专利
:CN109830532A
,2019-05-31
[7]
超结IGBT器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN117577671A
,2024-02-20
[8]
超结IGBT器件
[P].
曾大杰
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳尚阳通科技股份有限公司
深圳尚阳通科技股份有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN117577671B
,2025-09-23
[9]
沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法
[P].
高宗朋
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海鼎阳通半导体科技有限公司
上海鼎阳通半导体科技有限公司
高宗朋
;
曾大杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海鼎阳通半导体科技有限公司
上海鼎阳通半导体科技有限公司
曾大杰
.
中国专利
:CN118213386A
,2024-06-18
[10]
具有反向阻断能力的超结IGBT器件及其制造方法
[P].
吴玉舟
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海超致半导体科技有限公司
上海超致半导体科技有限公司
吴玉舟
.
中国专利
:CN118486712A
,2024-08-13
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