逆导型IGBT半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210064065.3

申请日：

2012-03-12

公开(公告)号：

CN103035691A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

肖胜安

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689705046 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012100640653 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452522514 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012100640653 申请日:20120312
2015-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18

[2]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10

[3]

半导体器件和逆导IGBT [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN104576720B ,2015-04-29

[4]

半导体器件和逆导IGBT [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN102593168B ,2012-07-18

[5]

一种逆导型功率半导体器件及其制造方法 [P].

冯浩 ;

刘永 ;

邓菁 ;

彭鑫 ;

单建安 .

中国专利 :CN118630012B ,2024-10-29

[6]

一种逆导型功率半导体器件及其制造方法 [P].

冯浩 ;

刘永 ;

邓菁 ;

彭鑫 ;

单建安 .

中国专利 :CN118630012A ,2024-09-10

[7]

逆导型IGBT及其制备方法 [P].

刘勇强 ;

史波 ;

曾丹 ;

赵浩宇 ;

温珂 ;

葛孝昊 ;

赵家宽 .

中国专利 :CN113394278A ,2021-09-14

[8]

逆导型超结IGBT器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN109888005B ,2019-06-14

[9]

一种逆导型IGBT器件 [P].

李泽宏 ;

郭绪阳 ;

张明 ;

陈文梅 ;

伍济 ;

陈钱 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105206656A ,2015-12-30

[10]

逆导型IGBT器件的制造方法 [P].

孔蔚然 ;

杨继业 ;

潘嘉 .

中国专利 :CN111540679A ,2020-08-14

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