半导体器件和逆导IGBT

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410769086.4

申请日：

2012-01-17

公开(公告)号：

CN104576720B

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

F.D.普菲尔施

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2908

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;刘春元

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-08	授权	授权
2015-04-29	公开	公开
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611406365 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014107690864 申请日:20120117

共 50 条

[1]

半导体器件和逆导IGBT [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN102593168B ,2012-07-18

[2]

逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10

[3]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18

[4]

IGBT和半导体器件 [P].

T.古特 ;

F.D.普菲尔施 ;

M.普拉佩尔特 ;

D.韦贝尔 .

中国专利 :CN204257660U ,2015-04-08

[5]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10

[6]

一种逆导IGBT半导体器件及制备方法 [P].

盛况 ;

王珩宇 ;

邹扬 ;

沈华 ;

刘志红 .

中国专利 :CN117766574A ,2024-03-26

[7]

逆导型功率半导体器件 [P].

贺振卿 ;

银登杰 ;

杨明杰 ;

高军 ;

李勇 ;

喻思源 ;

徐俊 ;

操国宏 ;

唐革 ;

刘健 ;

李静 .

中国专利 :CN120224771A ,2025-06-27

[8]

IGBT半导体器件 [P].

王锐 .

中国专利 :CN203103307U ,2013-07-31

[9]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[10]

一种逆导型IGBT器件 [P].

李泽宏 ;

郭绪阳 ;

张明 ;

陈文梅 ;

伍济 ;

陈钱 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105206656A ,2015-12-30

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