一种逆导IGBT半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311611634.6

申请日：

2023-11-28

公开(公告)号：

CN117766574A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

盛况王珩宇邹扬沈华刘志红

申请人：

浙江大学斯达半导体股份有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L21/331 H01L29/423

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289

代理人：

杨琪宇

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	公开	公开
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20231128

共 50 条

[1]

半导体器件和逆导IGBT [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN104576720B ,2015-04-29

[2]

半导体器件和逆导IGBT [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN102593168B ,2012-07-18

[3]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10

[4]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18

[5]

逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10

[6]

一种IGBT器件制备方法及半导体器件 [P].

符杰 ;

孟繁新 ;

黄庆波 ;

兰婉婷 ;

陈杨 ;

丁要琼 ;

岳兰 .

中国专利 :CN118983218A ,2024-11-19

[7]

一种逆导型IGBT器件及制备方法 [P].

盛况 ;

王珩宇 ;

邹扬 .

中国专利 :CN119364787B ,2025-10-31

[8]

逆导IGBT器件及制造方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 ;

胡爱斌 .

中国专利 :CN102931228B ,2013-02-13

[9]

一种逆导IGBT器件的制备方法 [P].

刘国友 ;

罗海辉 ;

肖海波 ;

肖强 ;

刘鹏飞 .

中国专利 :CN106803498A ,2017-06-06

[10]

一种半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

闫书萌 ;

程川 ;

陈利杰 .

中国专利 :CN118943172A ,2024-11-12

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