一种逆导型功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411087429.9

申请日：

2024-08-09

公开(公告)号：

CN118630012B

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

冯浩刘永邓菁彭鑫单建安

申请人：

安建科技（深圳）有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108

IPC主分类号：

H01L27/07

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/8222

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人：

袁燕清

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-10	公开	公开
2024-10-29	授权	授权
2024-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/07申请日:20240809

共 50 条

[1]

一种逆导型功率半导体器件及其制造方法 [P].

冯浩 ;

刘永 ;

邓菁 ;

彭鑫 ;

单建安 .

中国专利 :CN118630012A ,2024-09-10

[2]

逆导型功率半导体器件 [P].

贺振卿 ;

银登杰 ;

杨明杰 ;

高军 ;

李勇 ;

喻思源 ;

徐俊 ;

操国宏 ;

唐革 ;

刘健 ;

李静 .

中国专利 :CN120224771A ,2025-06-27

[3]

逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10

[4]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18

[5]

逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P].

肖胜安 ;

雷海波 .

中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

孙伟锋 ;

娄荣程 ;

肖魁 ;

林峰 ;

魏家行 ;

李胜 ;

刘斯扬 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN111354794B ,2020-06-30

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104269357A ,2015-01-07

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN104078354B ,2014-10-01

[9]

一种功率半导体器件及其制造方法 [P].

胡俊杰 ;

任文珍 .

中国专利 :CN121174537A ,2025-12-19

[10]

一种功率半导体器件及其制造方法 [P].

陈万军 ;

唐血锋 ;

刘超 ;

娄伦飞 ;

周琦 ;

张波 .

中国专利 :CN105304699A ,2016-02-03

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