功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811583692.1

申请日：

2018-12-24

公开(公告)号：

CN111354794B

公开(公告)日：

2020-06-30

发明(设计)人：

孙伟锋娄荣程肖魁林峰魏家行李胜刘斯扬陆生礼时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181224
2020-06-30	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

曾泉 ;

纪刚 ;

钟添宾 ;

倪凯彬 ;

张雄英 ;

顾建平 .

中国专利 :CN101556967B ,2009-10-14

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

陈琛 ;

王珏 .

中国专利 :CN108346692A ,2018-07-31

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李珠焕 ;

朴泰泳 ;

禹赫 ;

姜旻岐 ;

金莹俊 ;

金台烨 ;

尹成晥 ;

赵善衡 ;

河定穆 .

中国专利 :CN110634947A ,2019-12-31

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