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QLED器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711446731.9
申请日：
2017-12-27
公开(公告)号：
CN109980096B
公开(公告)日：
2019-07-05
发明(设计)人：
李泽伟
曹蔚然
申请人：
申请人地址：
516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
IPC主分类号：
H01L5150
IPC分类号：
H01L5156
H01L5154
代理机构：
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人：
李艳丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-07-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20171227 |
| 2020-09-11 | 授权 | 授权 |
| 2019-07-05 | 公开 | 公开 |
| 2020-09-01 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/50 变更事项:申请人 变更前:TCL集团股份有限公司 变更后:TCL科技集团股份有限公司 变更事项:地址 变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦 |