薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910383657.3

申请日：

2019-05-08

公开(公告)号：

CN110158031B

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

陈永生郭海中潘玲

申请人：

申请人地址：

450000 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1426

代理机构：

北京超成律师事务所 11646

代理人：

孔默

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	公开	公开
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20190508
2021-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化亚锡薄膜的制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

郭力 ;

曹明杰 ;

欧阳良琦 ;

张冷 .

中国专利 :CN106206245A ,2016-12-07

[2]

氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

梁凌燕 ;

刘志敏 .

中国专利 :CN102021519A ,2011-04-20

[3]

氧化亚锡织构薄膜及其制备方法 [P].

刘权 ;

梁凌燕 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN103774098A ,2014-05-07

[4]

一种p型氧化亚锡薄膜材料以及钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法 [P].

孙剑 ;

白雪 ;

陈泽群 .

中国专利 :CN106531635B ,2017-03-22

[5]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[6]

一种原位大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法 [P].

雷岩 ;

谷龙艳 ;

贾会敏 ;

杨晓刚 ;

杨健康 ;

郑露露 ;

郑直 ;

褚君浩 .

中国专利 :CN104934490B ,2015-09-23

[7]

氧化亚锡粉末及氧化亚锡粉末的制造方法 [P].

平野广隆 ;

片濑琢磨 .

中国专利 :CN107001065A ,2017-08-01

[8]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

[9]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[10]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

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