氧化亚锡多晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910152532.6

申请日：

2009-09-17

公开(公告)号：

CN102021519A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

曹鸿涛梁凌燕刘志敏

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

C23C1430

IPC分类号：

C23C1408 C23C1458 H01L21203 H01L21324

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	授权	授权
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077294571 IPC(主分类):C23C 14/30 专利申请号:2009101525326 申请日:20090917
2017-11-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/30 申请日:20090917 授权公告日:20120523 终止日期:20160917

共 50 条

[1]

氧化亚锡织构薄膜及其制备方法 [P].

刘权 ;

梁凌燕 ;

曹鸿涛 .

中国专利 :CN103774098A ,2014-05-07

[2]

氧化亚锡薄膜的制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

郭力 ;

曹明杰 ;

欧阳良琦 ;

张冷 .

中国专利 :CN106206245A ,2016-12-07

[3]

一种p型氧化亚锡薄膜材料以及钾掺杂p型氧化亚锡薄膜材料的制备方法 [P].

孙剑 ;

白雪 ;

陈泽群 .

中国专利 :CN106531635B ,2017-03-22

[4]

氧化亚锡粉末及氧化亚锡粉末的制造方法 [P].

平野广隆 ;

片濑琢磨 .

中国专利 :CN107001065A ,2017-08-01

[5]

一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

梁凌燕 ;

刘志敏 .

中国专利 :CN101764065B ,2010-06-30

[6]

多个氧化亚锡颗粒 [P].

M·L·格朗布瓦斯 .

中国专利 :CN103043711B ,2013-04-17

[7]

制备高纯氧化亚锡的方法 [P].

C·维尔纳 ;

C·施泰因伯格 ;

J·毛雷尔 ;

H·祖马克 .

中国专利 :CN103562134A ,2014-02-05

[8]

薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件 [P].

陈永生 ;

郭海中 ;

潘玲 .

中国专利 :CN110158031B ,2019-08-23

[9]

一种双极性氧化亚锡反相器的制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

梁凌燕 ;

刘志敏 .

中国专利 :CN102593063A ,2012-07-18

[10]

纳米氧化亚锡和纳米二氧化锡的制备方法 [P].

邹勃 ;

张品华 ;

王英楠 ;

邹广田 .

中国专利 :CN102602985A ,2012-07-25

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