一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010040097.0

申请日：

2010-01-20

公开(公告)号：

CN101764065B

公开(公告)日：

2010-06-30

发明(设计)人：

曹鸿涛梁凌燕刘志敏

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L21477 C23C1424

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005079703 IPC(主分类):H01L 21/34 专利申请号:2010100400970 申请日:20100120
2011-12-14	授权	授权
2016-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101650104070 IPC(主分类):H01L 21/34 专利号:ZL2010100400970 申请日:20100120 授权公告日:20111214 终止日期:20150120
2010-06-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种p-型氧化亚锡薄膜、薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李国立 ;

宋钰 ;

廖蕾 .

中国专利 :CN118198109A ,2024-06-14

[2]

一种p-型氧化亚锡薄膜、薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李国立 ;

宋钰 ;

廖蕾 .

中国专利 :CN118198109B ,2025-01-14

[3]

背沟道蚀刻金属氧化物薄膜晶体管和工艺 [P].

洪铭钦 ;

张世昌 ;

V·古普塔 ;

朴英培 .

中国专利 :CN103515544A ,2014-01-15

[4]

氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 [P].

曹鸿涛 ;

梁凌燕 ;

刘志敏 .

中国专利 :CN102021519A ,2011-04-20

[5]

p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 [P].

张新安 ;

郑海务 ;

杨光 ;

刘献省 ;

李爽 ;

张伟风 .

中国专利 :CN105977165B ,2016-09-28

[6]

薄膜晶体管制造方法及具有该薄膜晶体管的显示器 [P].

万德昌 ;

刘侑宗 ;

李淂裕 .

中国专利 :CN101546732A ,2009-09-30

[7]

导电沟道材料的制备方法及薄膜晶体管 [P].

罗成志 .

中国专利 :CN110335806A ,2019-10-15

[8]

一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法 [P].

高晓红 ;

张文通 ;

杨帆 ;

周路 ;

王欢 ;

赵阳 ;

闫兴振 ;

李彬 ;

吴博琦 ;

王超 ;

迟耀丹 ;

杨小天 .

中国专利 :CN108962759B ,2018-12-07

[9]

一种薄膜晶体管制造方法及薄膜晶体管 [P].

成军 .

中国专利 :CN105609564A ,2016-05-25

[10]

薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法 [P].

李俊杰 ;

杨超然 ;

许高博 ;

周娜 ;

张琛琛 ;

高建峰 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

罗军 ;

陈睿 .

中国专利 :CN119894053A ,2025-04-25

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