生成增强位线电压的操作方法及非易失性存储器设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080001929.X

申请日：

2020-08-07

公开(公告)号：

CN112041932B

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

黄莹刘红涛许锋魏文喆

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

G11C1608

IPC分类号：

G11C1624 G11C1610

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

林锦辉;刘景峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	授权	授权
2020-12-04	公开	公开
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/08 申请日:20200807

共 50 条

[1]

非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法 [P].

M·F·佩罗尼 ;

F·E·C·迪塞格尼 ;

M·拉帕拉卡 ;

C·托尔蒂 .

:CN113257310B ,2025-06-06

[2]

非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法 [P].

M·F·佩罗尼 ;

F·E·C·迪塞格尼 ;

M·拉帕拉卡 ;

C·托尔蒂 .

中国专利 :CN113257310A ,2021-08-13

[3]

非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法 [P].

李吉成 ;

张在薰 ;

金基玄 ;

沈善一 .

中国专利 :CN104008778A ,2014-08-27

[4]

非易失性存储器设备、存储设备及其操作方法 [P].

安孝珍 ;

李书永 ;

赵勋 .

韩国专利 :CN117877554A ,2024-04-12

[5]

非易失性存储器及其操作方法 [P].

陈昱丞 ;

王杰彦 .

中国专利 :CN118366519A ,2024-07-19

[6]

非易失性存储器装置的操作方法 [P].

金完东 .

中国专利 :CN109658968A ,2019-04-19

[7]

非易失性存储器装置的操作方法 [P].

金完东 .

韩国专利 :CN109658968B ,2024-07-30

[8]

非易失性存储器设备及其操作方法 [P].

曹诚敏 .

中国专利 :CN110197691A ,2019-09-03

[9]

非易失性存储器设备及其操作方法 [P].

曹诚敏 .

韩国专利 :CN110197691B ,2025-03-18

[10]

非易失性存储器设备及其操作方法 [P].

李知尚 .

中国专利 :CN109658972A ,2019-04-19

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