非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110119728.6

申请日：

2021-01-28

公开(公告)号：

CN113257310A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

M·F·佩罗尼 F·E·C·迪塞格尼 M·拉帕拉卡 C·托尔蒂

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	公开	公开
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20210128

共 50 条

[1]

非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法 [P].

M·F·佩罗尼 ;

F·E·C·迪塞格尼 ;

M·拉帕拉卡 ;

C·托尔蒂 .

:CN113257310B ,2025-06-06

[2]

用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置 [P].

M·F·佩罗尼 ;

F·E·C·迪塞格尼 ;

M·拉帕拉卡 ;

C·托尔蒂 .

中国专利 :CN216435467U ,2022-05-03

[3]

生成增强位线电压的操作方法及非易失性存储器设备 [P].

黄莹 ;

刘红涛 ;

许锋 ;

魏文喆 .

中国专利 :CN112041932B ,2020-12-04

[4]

非易失性存储器设备、对应的方法和系统 [P].

M·F·佩罗尼 ;

F·E·C·迪塞格尼 ;

C·托尔蒂 ;

D·曼弗雷 ;

M·卡鲁索 .

:CN119517105A ,2025-02-25

[5]

非易失性存储器和对应的制造方法 [P].

R·阿巴阿布 ;

V·德拉·玛卡 ;

N·米里迪·E·塞罗什塔诺夫 ;

P·玛森 ;

F·梅鲁尔 ;

M·阿克巴尔 .

:CN119233645A ,2024-12-31

[6]

非易失性存储器设备和包括非易失性存储器设备的存储器系统 [P].

李淳永 ;

金敬纹 ;

张佑在 ;

朱灿种 .

韩国专利 :CN110246532B ,2024-11-19

[7]

利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程 [P].

迪潘舒·杜塔 ;

杰弗里·W·卢策 .

中国专利 :CN103081015A ,2013-05-01

[8]

用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路 [P].

李永宅 .

中国专利 :CN1371101A ,2002-09-25

[9]

非易失性存储器设备和操作非易失性存储器设备的方法 [P].

李浩俊 ;

朱相炫 .

中国专利 :CN107017027A ,2017-08-04

[10]

非易失性存储器电路和用于制造此存储器电路的方法 [P].

C·里韦罗 ;

J·德拉勒奥 .

:CN121171293A ,2025-12-19

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