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用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置
被引:0
申请号
:
CN202120243583.6
申请日
:
2021-01-28
公开(公告)号
:
CN216435467U
公开(公告)日
:
2022-05-03
发明(设计)人
:
M·F·佩罗尼
F·E·C·迪塞格尼
M·拉帕拉卡
C·托尔蒂
申请人
:
申请人地址
:
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
:
G11C1300
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
王茂华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-03
授权
授权
共 50 条
[1]
非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法
[P].
M·F·佩罗尼
论文数:
0
引用数:
0
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0
M·F·佩罗尼
;
F·E·C·迪塞格尼
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F·E·C·迪塞格尼
;
M·拉帕拉卡
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M·拉帕拉卡
;
C·托尔蒂
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C·托尔蒂
.
中国专利
:CN113257310A
,2021-08-13
[2]
非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法
[P].
M·F·佩罗尼
论文数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
M·F·佩罗尼
;
F·E·C·迪塞格尼
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机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
F·E·C·迪塞格尼
;
M·拉帕拉卡
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机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
M·拉帕拉卡
;
C·托尔蒂
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机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
C·托尔蒂
.
:CN113257310B
,2025-06-06
[3]
非易失性存储器设备和包括非易失性存储器设备的存储器系统
[P].
李淳永
论文数:
0
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李淳永
;
金敬纹
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金敬纹
;
张佑在
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
张佑在
;
朱灿种
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朱灿种
.
韩国专利
:CN110246532B
,2024-11-19
[4]
非易失性存储器电路和用于制造此存储器电路的方法
[P].
C·里韦罗
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机构:
意法半导体国际公司
意法半导体国际公司
C·里韦罗
;
J·德拉勒奥
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0
机构:
意法半导体国际公司
意法半导体国际公司
J·德拉勒奥
.
:CN121171293A
,2025-12-19
[5]
一种非易失性存储器设备和电子装置
[P].
F·格兰德
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0
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0
F·格兰德
;
A·希格诺瑞罗
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0
A·希格诺瑞罗
;
S·帕加诺
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S·帕加诺
;
M·吉亚奎恩塔
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0
M·吉亚奎恩塔
.
中国专利
:CN205645283U
,2016-10-12
[6]
非易失性存储器设备和电压生成器电路
[P].
D·曼弗雷
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0
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0
D·曼弗雷
;
L·卡佩奇
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L·卡佩奇
;
M·卡里希米
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M·卡里希米
;
M·帕索蒂
论文数:
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0
M·帕索蒂
.
中国专利
:CN213459059U
,2021-06-15
[7]
非易失性存储器装置和适于非易失性存储器装置的方法
[P].
黄科颕
论文数:
0
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0
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0
黄科颕
.
中国专利
:CN112116940A
,2020-12-22
[8]
非易失性存储器设备和存储设备
[P].
朱相炫
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0
朱相炫
;
朴泰敏
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朴泰敏
;
金亨洙
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金亨洙
;
任载禹
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任载禹
;
郑原宅
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0
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0
郑原宅
.
中国专利
:CN114255815A
,2022-03-29
[9]
用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器
[P].
许延华
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机构:
北京中电华大电子设计有限责任公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
许延华
;
陈艳
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机构:
北京中电华大电子设计有限责任公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
陈艳
;
白俊峰
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机构:
北京中电华大电子设计有限责任公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
白俊峰
;
孟颖
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机构:
北京中电华大电子设计有限责任公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
孟颖
;
李欢
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机构:
北京中电华大电子设计有限责任公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
李欢
.
中国专利
:CN116758963B
,2024-05-14
[10]
用于在非易失性存储器器件中产生提升电压的电路
[P].
郑象和
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郑象和
.
中国专利
:CN1921012A
,2007-02-28
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