光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780008455.X

申请日：

2017-01-23

公开(公告)号：

CN108604624B

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

弗朗茨·埃伯哈德

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L3344

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/42 申请日:20170123
2020-11-06	授权	授权
2018-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[2]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

伊瓦尔·通林 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110603653A ,2019-12-20

[3]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

赖纳·哈特曼 ;

马丁·曼德尔 ;

西梅昂·卡茨 ;

安德烈亚斯·吕克尔 .

中国专利 :CN108028286B ,2018-05-11

[4]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

卡伊·格尔克 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

理查德·弗勒特尔 ;

克里斯蒂安·施密特 .

中国专利 :CN103843162A ,2014-06-04

[5]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN106796936A ,2017-05-31

[6]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

马丁·鲁道夫·贝林格 ;

马库斯·布勒尔 ;

克里斯托夫·克伦普 .

中国专利 :CN103907210B ,2014-07-02

[7]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

卡伊·格尔克 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

理查德·弗勒特尔 ;

克里斯蒂安·施密特 .

中国专利 :CN106935692B ,2017-07-07

[8]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

L.赫佩尔 ;

N.冯马尔姆 .

中国专利 :CN102947936B ,2013-02-27

[9]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

平井麻子 .

中国专利 :CN113544862A ,2021-10-22

[10]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

洛伦佐·齐尼 ;

简-菲利普·阿尔 ;

亚历山大·弗里 .

中国专利 :CN104508840A ,2015-04-08

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