功率器件及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210860239.0

申请日：

2022-07-22

公开(公告)号：

CN114944425A

公开(公告)日：

2022-08-26

发明(设计)人：

黄锟陈筱菲陈立业

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

王晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-26	公开	公开
2022-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20220722

共 50 条

[1]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

沈思杰 ;

黄锦才 .

中国专利 :CN103871901A ,2014-06-18

[2]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN103871840A ,2014-06-18

[3]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN103839780A ,2014-06-04

[4]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

吴亚贞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN103441149A ,2013-12-11

[5]

功率器件及其制作方法 [P].

杜卫星 ;

马俊辉 ;

张铭宏 .

中国专利 :CN112652656A ,2021-04-13

[6]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

钟圣荣 ;

王根毅 ;

邓小社 ;

周宏伟 .

中国专利 :CN104347628B ,2015-02-11

[7]

异质结功率器件及其制作方法 [P].

毛维 ;

刘晓雨 ;

杨翠 ;

杜鸣 ;

高北鸾 ;

王海永 ;

马佩军 ;

赵胜雷 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112768505B ,2021-05-07

[8]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375B ,2024-04-26

[9]

LDMOS器件及其制作方法 [P].

林威 ;

程小强 ;

郎金荣 .

中国专利 :CN110867375A ,2020-03-06

[10]

功率器件及其制作方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106206718A ,2016-12-07

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