一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111553694.8
申请日
2021-12-17
公开(公告)号
CN114200695A
公开(公告)日
2022-03-18
发明(设计)人
李彬 牛玉秀 潘小星 丁丽 陈小梅
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
IPC主分类号
G02F103
IPC分类号
G02F1035
代理机构
深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341
代理人
何婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法 [P]. 
杜闯 ;
王冲 ;
丁丽 ;
傅力 ;
陈小梅 .
中国专利 :CN107490824A ,2017-12-19
[2]
一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件 [P]. 
王定理 ;
傅力 ;
李林松 ;
王任凡 .
中国专利 :CN105158849A ,2015-12-16
[3]
高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置 [P]. 
华勇 ;
田自君 ;
杨千泽 ;
张鑫 .
中国专利 :CN104597552B ,2015-05-06
[4]
一种高偏振消光比的铌酸锂薄膜相位调制器设计方法 [P]. 
李慧 ;
李跃杨 ;
田牧原 ;
周姣 ;
邓超 ;
梁爽 ;
苏腾龙 .
中国专利 :CN120762227A ,2025-10-10
[5]
基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法 [P]. 
冯雪 ;
孔德阳 ;
李永卓 ;
黄翊东 ;
张巍 ;
崔开宇 ;
刘仿 ;
黄凤彬 ;
李天航 ;
李果 ;
赵晓勇 .
中国专利 :CN119395812A ,2025-02-07
[6]
基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法 [P]. 
冯雪 ;
孔德阳 ;
李永卓 ;
黄翊东 ;
张巍 ;
崔开宇 ;
刘仿 ;
黄凤彬 ;
李天航 ;
李果 ;
赵晓勇 .
中国专利 :CN119395812B ,2025-11-25
[7]
可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置 [P]. 
华勇 ;
田自君 ;
张征 ;
乔海燕 .
中国专利 :CN104597551B ,2015-05-06
[8]
一种具有高偏振消光比的薄膜铌酸锂Y分支调制器 [P]. 
陈开鑫 ;
王梦柯 .
中国专利 :CN118192003A ,2024-06-14
[9]
一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关 [P]. 
尹锐 ;
刘枫榆 ;
黄庆捷 ;
季伟 .
中国专利 :CN111736373A ,2020-10-02
[10]
一种光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器及其制造方法 [P]. 
史云玲 ;
杨旭 ;
魏喜雯 ;
褚洪波 ;
郑毅 ;
张凤环 ;
李萍 .
中国专利 :CN108761640A ,2018-11-06