基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411561437.2

申请日：

2024-11-04

公开(公告)号：

CN119395812A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

冯雪孔德阳李永卓黄翊东张巍崔开宇刘仿黄凤彬李天航李果赵晓勇

申请人：

清华大学珠海华发实业股份有限公司

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/122 G02B6/136

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

周磊

法律状态：

授权

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	授权	授权
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/12申请日:20241104

共 50 条

[1]

基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法 [P].

冯雪 ;

孔德阳 ;

李永卓 ;

黄翊东 ;

张巍 ;

崔开宇 ;

刘仿 ;

黄凤彬 ;

李天航 ;

李果 ;

赵晓勇 .

中国专利 :CN119395812B ,2025-11-25

[2]

基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法 [P].

邓华迪 .

中国专利 :CN117348160B ,2024-07-02

[3]

基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法 [P].

邓华迪 .

中国专利 :CN117348160A ,2024-01-05

[4]

一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法 [P].

杜闯 ;

王冲 ;

丁丽 ;

傅力 ;

陈小梅 .

中国专利 :CN107490824A ,2017-12-19

[5]

耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置 [P].

李俊慧 ;

王旭阳 ;

冯亚丽 ;

郝琰 .

中国专利 :CN212410901U ,2021-01-26

[6]

耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置 [P].

李俊慧 ;

王旭阳 ;

冯亚丽 ;

郝琰 .

中国专利 :CN111239905A ,2020-06-05

[7]

一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法 [P].

李彬 ;

牛玉秀 ;

潘小星 ;

丁丽 ;

陈小梅 .

中国专利 :CN114200695A ,2022-03-18

[8]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[9]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

[10]

一种薄膜铌酸锂波导起偏器 [P].

国伟华 ;

张雨丹 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN119087582A ,2024-12-06

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