一种薄膜铌酸锂波导起偏器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411369468.8

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN119087582A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

国伟华张雨丹陆巧银

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G02B6/126

IPC分类号：

G02B6/122 G02B6/12

代理机构：

北京众达德权知识产权代理有限公司 11570

代理人：

付娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/126申请日:20240929
2024-12-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN115857091B ,2025-11-14

[2]

一种波导起偏器 [P].

国伟华 ;

张雨丹 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN223108109U ,2025-07-15

[3]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380B ,2025-09-12

[4]

一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法 [P].

张钰 ;

梁雪瑞 ;

喻千尘 ;

陈宏刚 ;

张博 ;

罗勇 ;

马卫东 ;

胡强高 ;

陈珣 ;

颜伟 .

中国专利 :CN120386063A ,2025-07-29

[5]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380A ,2025-08-05

[6]

一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器 [P].

陶诗琦 ;

孙昊骋 ;

袁帅 .

中国专利 :CN115032743A ,2022-09-09

[7]

铌酸锂起偏器芯片加工方法 [P].

华勇 ;

朱学军 ;

张征 ;

林志 ;

丁黔川 .

中国专利 :CN103213204B ,2013-07-24

[8]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[9]

一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112269225B ,2021-01-26

[10]

一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构 [P].

朱志宏 ;

吴易恒 ;

陈海涛 ;

金世龙 ;

符庭钊 ;

朱梦剑 ;

周思宇 ;

江金豹 ;

李晗升 .

中国专利 :CN221946312U ,2024-11-01

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