铌酸锂起偏器芯片加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310144145.4

申请日：

2013-04-24

公开(公告)号：

CN103213204B

公开(公告)日：

2013-07-24

发明(设计)人：

华勇朱学军张征林志丁黔川

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号44所

IPC主分类号：

B28D500

IPC分类号：

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

侯懋琪;侯春乐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101509127502 IPC(主分类):B28D 5/00 专利申请号:2013101441454 申请日:20130424
2013-07-24	公开	公开
2015-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂波导起偏器 [P].

国伟华 ;

张雨丹 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN119087582A ,2024-12-06

[2]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380B ,2025-09-12

[3]

一种薄膜铌酸锂起偏器及其制作方法 [P].

张钰 ;

梁雪瑞 ;

喻千尘 ;

陈宏刚 ;

张博 ;

罗勇 ;

马卫东 ;

胡强高 ;

陈珣 ;

颜伟 .

中国专利 :CN120386063A ,2025-07-29

[4]

一种薄膜铌酸锂的起偏器及其制备方法 [P].

韩风阳 ;

李俊慧 .

中国专利 :CN120428380A ,2025-08-05

[5]

铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构 [P].

华平壤 ;

姜城 .

中国专利 :CN208953815U ,2019-06-07

[6]

一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN115857091B ,2025-11-14

[7]

一种大尺寸铌酸锂晶片及其加工方法 [P].

罗毅 ;

龚瑞 ;

许伙长 .

中国专利 :CN114775040A ,2022-07-22

[8]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN211180281U ,2020-08-04

[9]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN110568551A ,2019-12-13

[10]

一种铌酸锂晶体制备方法及铌酸锂器件 [P].

谢柳平 ;

权纪亮 ;

柯观振 ;

黄晋强 ;

赵维 .

中国专利 :CN120291195A ,2025-07-11

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