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一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器

被引：0
申请号：
CN202210886691.4
申请日：
2022-07-26
公开(公告)号：
CN115032743A
公开(公告)日：
2022-09-09
发明(设计)人：
陶诗琦 孙昊骋 袁帅
申请人：
申请人地址：
201803 上海市嘉定区金沙江西路1555弄390号3层319室
IPC主分类号：
G02B6126
IPC分类号：
G02B6122
代理机构：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562
代理人：
沈晓彦
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/126 申请日:20220726
2022-09-09 公开 公开
共 50 条
[1]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P]. 
宋树祥 ;
李海盛 ;
蔡超波 ;
唐晓虎 ;
岑明灿 .
中国专利 :CN119291847A ,2025-01-10
[2]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P]. 
宋树祥 ;
李海盛 ;
蔡超波 ;
唐晓虎 ;
岑明灿 .
中国专利 :CN223308415U ,2025-09-05
[3]
一种薄膜铌酸锂波导起偏器 [P]. 
国伟华 ;
张雨丹 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN119087582A ,2024-12-06
[4]
一种薄膜铌酸锂分束器的泄露模抑制方法 [P]. 
时尧成 ;
王亚茹 ;
刘卫喜 .
中国专利 :CN121028294A ,2025-11-28
[5]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21
[6]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18
[7]
一种基于薄膜铌酸锂的片上起偏器及其制作方法 [P]. 
王宣皓 ;
陶诗琦 ;
曾成 ;
孙昊骋 .
中国专利 :CN113848611B ,2021-12-28
[8]
一种基于脊型光波导的多模干涉耦合器 [P]. 
戴道锌 ;
何赛灵 .
中国专利 :CN1180284C ,2003-07-23
[9]
一种铌酸锂薄膜MMI起偏分束器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN115857091B ,2025-11-14
[10]
一种基于多模干涉耦合结构的偏振无关铌酸锂交叉波导 [P]. 
邓春雨 ;
于坤 ;
路怡博 ;
张伟 ;
王建业 ;
刘悦 ;
周成鑫 ;
张军 .
中国专利 :CN119717134A ,2025-03-28
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