一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510028537.7

申请日：

2025-01-08

公开(公告)号：

CN119644510B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

孙军强张天衡

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430000 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G02B6/14

IPC分类号：

G02B6/122 G02B6/13 G02B6/136 G02B6/12

代理机构：

武汉慕名专利代理事务所(普通合伙) 42310

代理人：

张长洋

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/14申请日:20250108
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18

[2]

一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法 [P].

谢树果 ;

田雨墨 ;

郭子贤 ;

杨燕 .

中国专利 :CN115144965A ,2022-10-04

[3]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084B ,2024-09-17

[4]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084A ,2024-07-23

[5]

一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

刘潇月 .

中国专利 :CN113568106B ,2021-10-29

[6]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149A ,2024-01-05

[7]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149B ,2024-09-17

[8]

一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

高升谦 .

中国专利 :CN115793140B ,2025-10-28

[9]

一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 [P].

尹志军 ;

汤济 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113820801B ,2021-12-21

[10]

一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P].

李青云 ;

胡卉 ;

张洪湖 ;

朱厚彬 .

中国专利 :CN115373082A ,2022-11-22

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