一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210903880.8

申请日：

2022-07-29

公开(公告)号：

CN115144965A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

谢树果田雨墨郭子贤杨燕

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

G02B614

IPC分类号：

G02B613 G02B6136

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法律状态：

公开

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21

[2]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18

[3]

一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

刘潇月 .

中国专利 :CN113568106B ,2021-10-29

[4]

一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 [P].

尹志军 ;

汤济 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113820801B ,2021-12-21

[5]

一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

高升谦 .

中国专利 :CN115793140B ,2025-10-28

[6]

一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器 [P].

夏金松 ;

胡畅然 ;

曾成 ;

瞿智成 .

中国专利 :CN113777711B ,2021-12-10

[7]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084B ,2024-09-17

[8]

高工艺容差的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

李润 .

中国专利 :CN118377084A ,2024-07-23

[9]

基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法 [P].

邓华迪 .

中国专利 :CN117348160B ,2024-07-02

[10]

基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法 [P].

邓华迪 .

中国专利 :CN117348160A ,2024-01-05

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