一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111125945.2
申请日
2021-09-24
公开(公告)号
CN113820801B
公开(公告)日
2021-12-21
发明(设计)人
尹志军 汤济 崔国新 许志城
申请人
申请人地址
210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室
IPC主分类号
G02B642
IPC分类号
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
逯长明;许伟群
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法 [P]. 
谢树果 ;
田雨墨 ;
郭子贤 ;
杨燕 .
中国专利 :CN115144965A ,2022-10-04
[2]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21
[3]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18
[4]
一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法 [P]. 
蔡鑫伦 ;
高升谦 .
中国专利 :CN115793140B ,2025-10-28
[5]
一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法 [P]. 
蔡鑫伦 ;
刘潇月 .
中国专利 :CN113568106B ,2021-10-29
[6]
一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器 [P]. 
夏金松 ;
胡畅然 ;
曾成 ;
瞿智成 .
中国专利 :CN113777711B ,2021-12-10
[7]
一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器 [P]. 
杨登才 ;
宋紫禁 ;
王云新 ;
向美华 ;
李颖 ;
李德阳 .
中国专利 :CN113534342B ,2024-03-15
[8]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P]. 
宋树祥 ;
李海盛 ;
蔡超波 ;
唐晓虎 ;
岑明灿 .
中国专利 :CN223308415U ,2025-09-05
[9]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器 [P]. 
宋树祥 ;
李海盛 ;
蔡超波 ;
唐晓虎 ;
岑明灿 .
中国专利 :CN119291847A ,2025-01-10
[10]
一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 [P]. 
李青云 ;
胡卉 ;
张洪湖 ;
朱厚彬 .
中国专利 :CN115373082A ,2022-11-22