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一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111125945.2
申请日
:
2021-09-24
公开(公告)号
:
CN113820801B
公开(公告)日
:
2021-12-21
发明(设计)人
:
尹志军
汤济
崔国新
许志城
申请人
:
申请人地址
:
210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室
IPC主分类号
:
G02B642
IPC分类号
:
代理机构
:
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
:
逯长明;许伟群
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-08
授权
授权
2022-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/42 申请日:20210924
2021-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜脊波导端面耦合器及其制备方法
[P].
谢树果
论文数:
0
引用数:
0
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0
谢树果
;
田雨墨
论文数:
0
引用数:
0
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田雨墨
;
郭子贤
论文数:
0
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0
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0
郭子贤
;
杨燕
论文数:
0
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0
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0
杨燕
.
中国专利
:CN115144965A
,2022-10-04
[2]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
孙军强
;
张天衡
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
张天衡
.
中国专利
:CN119644510B
,2025-11-21
[3]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
孙军强
;
张天衡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
张天衡
.
中国专利
:CN119644510A
,2025-03-18
[4]
一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
蔡鑫伦
;
高升谦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中山大学
中山大学
高升谦
.
中国专利
:CN115793140B
,2025-10-28
[5]
一种基于铌酸锂薄膜的宽带端面耦合器及其制备方法
[P].
蔡鑫伦
论文数:
0
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0
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0
蔡鑫伦
;
刘潇月
论文数:
0
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0
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0
刘潇月
.
中国专利
:CN113568106B
,2021-10-29
[6]
一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器
[P].
夏金松
论文数:
0
引用数:
0
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0
夏金松
;
胡畅然
论文数:
0
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0
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胡畅然
;
曾成
论文数:
0
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0
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曾成
;
瞿智成
论文数:
0
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0
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0
瞿智成
.
中国专利
:CN113777711B
,2021-12-10
[7]
一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
杨登才
;
宋紫禁
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京工业大学
北京工业大学
宋紫禁
;
论文数:
引用数:
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机构:
王云新
;
论文数:
引用数:
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机构:
向美华
;
论文数:
引用数:
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机构:
李颖
;
论文数:
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机构:
李德阳
.
中国专利
:CN113534342B
,2024-03-15
[8]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
宋树祥
;
李海盛
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
广西师范大学
广西师范大学
李海盛
;
论文数:
引用数:
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机构:
蔡超波
;
论文数:
引用数:
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机构:
唐晓虎
;
论文数:
引用数:
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机构:
岑明灿
.
中国专利
:CN223308415U
,2025-09-05
[9]
基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
宋树祥
;
李海盛
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
广西师范大学
广西师范大学
李海盛
;
论文数:
引用数:
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机构:
蔡超波
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
唐晓虎
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
岑明灿
.
中国专利
:CN119291847A
,2025-01-10
[10]
一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器
[P].
李青云
论文数:
0
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0
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0
李青云
;
胡卉
论文数:
0
引用数:
0
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胡卉
;
张洪湖
论文数:
0
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0
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张洪湖
;
朱厚彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱厚彬
.
中国专利
:CN115373082A
,2022-11-22
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