一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110691342.2

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN113534342B

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

杨登才宋紫禁王云新向美华李颖李德阳

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G02B6/124

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张慧

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率的非均匀光栅耦合器 [P].

杨登才 ;

宋紫禁 ;

王云新 ;

向美华 ;

李颖 ;

李德阳 .

中国专利 :CN113534342A ,2021-10-22

[2]

基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器 [P].

王道发 ;

李明 ;

谢毓俊 ;

王鹏 .

中国专利 :CN118795601A ,2024-10-18

[3]

基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器 [P].

王道发 ;

李明 ;

谢毓俊 ;

王鹏 .

中国专利 :CN118795601B ,2024-12-10

[4]

耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置 [P].

李俊慧 ;

王旭阳 ;

冯亚丽 ;

郝琰 .

中国专利 :CN111239905A ,2020-06-05

[5]

基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 [P].

金贤敏 ;

韩丰恺 ;

李轩坤 ;

刘民 .

中国专利 :CN111965761B ,2020-11-20

[6]

一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器 [P].

尹志军 ;

汤济 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113820801B ,2021-12-21

[7]

耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置 [P].

李俊慧 ;

王旭阳 ;

冯亚丽 ;

郝琰 .

中国专利 :CN212410901U ,2021-01-26

[8]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149A ,2024-01-05

[9]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149B ,2024-09-17

[10]

一种背面出光石英衬底的薄膜铌酸锂光栅耦合器 [P].

张国务 ;

刘柳 ;

戴道锌 ;

洪晓建 ;

费超 ;

陈楷旋 .

中国专利 :CN117388986A ,2024-01-12

← 1 2 3 4 5 →