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一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311296644.5
申请日
:
2023-10-08
公开(公告)号
:
CN117348149B
公开(公告)日
:
2024-09-17
发明(设计)人
:
李昊
申请人
:
广州铌奥光电子有限公司
申请人地址
:
510530 广东省广州市黄埔区姬火路6号102房
IPC主分类号
:
G02B6/12
IPC分类号
:
G02B6/122
G02B6/124
G02B6/34
G02B6/293
代理机构
:
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人
:
任宇杭
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-05
公开
公开
2024-01-23
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/12申请日:20231008
2024-09-17
授权
授权
共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置
[P].
李昊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广州铌奥光电子有限公司
广州铌奥光电子有限公司
李昊
.
中国专利
:CN117348149A
,2024-01-05
[2]
一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法
[P].
蔡鑫伦
论文数:
0
引用数:
0
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0
蔡鑫伦
;
林华婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林华婷
.
中国专利
:CN113126204A
,2021-07-16
[3]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
孙军强
;
张天衡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
张天衡
.
中国专利
:CN119644510B
,2025-11-21
[4]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
孙军强
;
张天衡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华中科技大学
华中科技大学
张天衡
.
中国专利
:CN119644510A
,2025-03-18
[5]
基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法
[P].
金贤敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
金贤敏
;
韩丰恺
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩丰恺
;
李轩坤
论文数:
0
引用数:
0
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0
李轩坤
;
刘民
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘民
.
中国专利
:CN111965761B
,2020-11-20
[6]
基于铌酸锂和硫系玻璃材料的光栅耦合器及其制备方法
[P].
刘博文
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宁波大学
宁波大学
刘博文
;
论文数:
引用数:
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机构:
宋宝安
;
郑加成
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
宁波大学
宁波大学
郑加成
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王莹莹
;
论文数:
引用数:
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机构:
许诺
;
刘鑫悦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
宁波大学
宁波大学
刘鑫悦
.
中国专利
:CN118393648A
,2024-07-26
[7]
一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
蔡艳
;
朱倩男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
朱倩男
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
岳文成
.
中国专利
:CN118567027A
,2024-08-30
[8]
一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
蔡艳
;
朱倩男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
朱倩男
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
岳文成
.
中国专利
:CN118567027B
,2025-12-09
[9]
一种背面出光石英衬底的薄膜铌酸锂光栅耦合器
[P].
张国务
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江大学
浙江大学
张国务
;
刘柳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
刘柳
;
戴道锌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
戴道锌
;
洪晓建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江大学
浙江大学
洪晓建
;
费超
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
费超
;
陈楷旋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
陈楷旋
.
中国专利
:CN117388986A
,2024-01-12
[10]
一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
杨登才
;
宋紫禁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京工业大学
北京工业大学
宋紫禁
;
论文数:
引用数:
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机构:
王云新
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
向美华
;
论文数:
引用数:
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机构:
李颖
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李德阳
.
中国专利
:CN113534342B
,2024-03-15
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