一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置

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专利类型
发明
申请号
CN202311296644.5
申请日
2023-10-08
公开(公告)号
CN117348149B
公开(公告)日
2024-09-17
发明(设计)人
李昊
申请人
广州铌奥光电子有限公司
申请人地址
510530 广东省广州市黄埔区姬火路6号102房
IPC主分类号
G02B6/12
IPC分类号
G02B6/122 G02B6/124 G02B6/34 G02B6/293
代理机构
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人
任宇杭
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P]. 
李昊 .
中国专利 :CN117348149A ,2024-01-05
[2]
一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 [P]. 
蔡鑫伦 ;
林华婷 .
中国专利 :CN113126204A ,2021-07-16
[3]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21
[4]
一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P]. 
孙军强 ;
张天衡 .
中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18
[5]
基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 [P]. 
金贤敏 ;
韩丰恺 ;
李轩坤 ;
刘民 .
中国专利 :CN111965761B ,2020-11-20
[6]
基于铌酸锂和硫系玻璃材料的光栅耦合器及其制备方法 [P]. 
刘博文 ;
宋宝安 ;
郑加成 ;
王莹莹 ;
许诺 ;
刘鑫悦 .
中国专利 :CN118393648A ,2024-07-26
[7]
一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 [P]. 
蔡艳 ;
朱倩男 ;
岳文成 .
中国专利 :CN118567027A ,2024-08-30
[8]
一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 [P]. 
蔡艳 ;
朱倩男 ;
岳文成 .
中国专利 :CN118567027B ,2025-12-09
[9]
一种背面出光石英衬底的薄膜铌酸锂光栅耦合器 [P]. 
张国务 ;
刘柳 ;
戴道锌 ;
洪晓建 ;
费超 ;
陈楷旋 .
中国专利 :CN117388986A ,2024-01-12
[10]
一种基于铌酸锂薄膜波导的高耦合效率分段均匀光栅耦合器 [P]. 
杨登才 ;
宋紫禁 ;
王云新 ;
向美华 ;
李颖 ;
李德阳 .
中国专利 :CN113534342B ,2024-03-15