一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410791920.3

申请日：

2024-06-19

公开(公告)号：

CN118567027B

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

蔡艳朱倩男岳文成

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G02B6/122

IPC分类号：

G02B6/124 G02B6/12 G02B6/34 G02B6/13 G02B6/132 G02B6/136

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233

代理人：

马锐

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	授权	授权
2024-08-30	公开	公开
2024-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/122申请日:20240619

共 50 条

[1]

一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 [P].

蔡艳 ;

朱倩男 ;

岳文成 .

中国专利 :CN118567027A ,2024-08-30

[2]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149A ,2024-01-05

[3]

一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置 [P].

李昊 .

中国专利 :CN117348149B ,2024-09-17

[4]

基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法 [P].

金贤敏 ;

韩丰恺 ;

李轩坤 ;

刘民 .

中国专利 :CN111965761B ,2020-11-20

[5]

基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器及制备方法 [P].

薛崔伟 ;

程秀兰 ;

廖汝俊 ;

段华南 ;

金鑫 ;

瞿敏妮 .

中国专利 :CN119179138A ,2024-12-24

[6]

一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 [P].

蔡鑫伦 ;

林华婷 .

中国专利 :CN113126204A ,2021-07-16

[7]

基于铌酸锂和硫系玻璃材料的光栅耦合器及其制备方法 [P].

刘博文 ;

宋宝安 ;

郑加成 ;

王莹莹 ;

许诺 ;

刘鑫悦 .

中国专利 :CN118393648A ,2024-07-26

[8]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510B ,2025-11-21

[9]

一种薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 [P].

孙军强 ;

张天衡 .

中国专利 :CN119644510A ,2025-03-18

[10]

一种基于铌酸锂的光栅辅助反向耦合器结构 [P].

尚玉玲 ;

邓淑婕 ;

李春泉 ;

姜辉 ;

侯杏娜 ;

黄国涛 ;

武绍云 ;

宋卓凡 .

中国专利 :CN119126300A ,2024-12-13

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